巨头们发力先进烧录

率，这相当古怪。这是在规格为 6mm x 6mm 的检验裸片上应应用于菊花链检验（daisy chain test ）内部结构，这和 AMD 的 V-Cache 的裸片规格一样方便。

积体电路口上笔记本电脑（chip on wafer ）混和键合中的最慢的两步之一是——BESI 应用软件物理学地捡拾die并将其放置在底部积体电路口上。这个绑定两步严重威胁恰当性，发送量与恰当性是连串相当大的战斗。带有 3 微米 TSV 较宽的惠普Corporation示范的良率很难关联性，电流在高于 0.5 微米的未曾掀开时很难清高着变化，键合良率降到 98%。

从 0.5 微米到 1 微米，它们的良率确实提升了了，但它们的菊花链内部结构的事与愿违 10% 的电流大大上升。较宽极小 1 微米，它们的良率为 60%，所有探测的内部结构都大约了它们的电流性能常指标。0.5 微米是一个相当重要的低池中平，因为 BESI 撒谎其 8800 Ultra 应用软件的精准度高于 200 单晶，尽管我们责怪它越来越举例来说 0.5 微米，带有不大的关联性，即使发送量是应用软件额定性能常指标的一半。

惠普Corporation还示范了越来越薄的阻挡层（thinner barrier layer），这也让整个可执行的交谈电流（contact resistance）越来越好。此外，惠普Corporation并不认为 SoIC 越来越可靠。这除此以外越来越广泛的工不作温度之内。但当 AMD 全然在其 5800X3D 台式机笔记本电脑上对准稳定度和修改转速时，很多人感到后悔。这不太可能只是第新一代的一个小原因。由于 TSMC 的 Cu 合金来进行了改进，并且随着 SoIC gen 4 较宽减小，它们其实早就减少其通用性和良率。

英特尔Corporation和 CEA-LETI的Collective Die to Wafer混和键合

我们究竟，积体电路口上笔记本电脑（Die on wafer ）的精准度近低于积体电路口上积体电路口（wafer on wafe）键合。它也慢得多。例如，尽管 Besi 撒谎每足足放置 2,000 个die，即使到了 1 微米的精准度，发送量仍能减到每足足放置 1,000 个笔记本电脑以下。另一各个方面，积体电路口上的积体电路口（wafer on wafe）键合也不存在许多与即可要来进行异质录入以及即可要在键合两步之前对die来进行bin/test有关的原因。Collective Die to Wafer允许比笔记本电脑到积体电路口（die to wafer）键合越来越高的精准度和发送量，同时还发放test、bin和也就是说异构录入的控制能力。

英特尔Corporation和 CEA-LETI 将Collective Die to Wafer与自掀开技术开发相结合，也就是说了 150 单晶的平均未曾掀开（mean misalignment，比die to wafer越来越恰当）并带有越来越高的发送量。自掀开技术开发相当爱。他们来来进行旋涡的毛细不作用力在修改后的捡拾和放置应用软件将其更快但不太恰当地放置在所即可方位后使对齐越来越加恰当。随着池中的冷却，诱发并不即可要键合，无即可任何其他中的间涂层。然后，键合积体电路口带入基准热检视两步，加强键合。

除了旋涡沉降（water droplet ）都有，唯一多样的两步是在构件部位广泛应用亲池中和疏池中涂层，这可以用单晶覆盖精准度来进行红光刻定义。这不是一个很难原因的每一次。有许多与分配池中、液滴功能性、液态和构件每一次有关的原因。英特尔Corporation和 CEA-LETI 以 3 个常指标示范了结果。Collection Yield是常指在die上捕获的旋涡。Bonding yield 是常指事与愿违键合的dies总数。Alignment yield是常指带有亚微米精准度的die总数。

他们试着了各种工艺技术的矩阵，其最好的工具也就是说了 98% 的bond yiled和 100% 的其他两步。总掀开精准度令人震惊，所有die的掀开精准度都低于 1 微米，大多数die的掀开精准度低于 0.2 微米。英特尔Corporation和 CEA-LETI 试着应应用于多种不同的die规格也就是说这一点，这个每一次在相当高的纵横比die上相当单单色，这相当古怪。

三星电子 Monolithic vs MCM vs 2.5D vs 3D，除此以外混和键合

三星电子在占地和转速各个方面对从新技术PVC的成本高来进行了相当古怪的数据分析。他们相当了两种主要的外观设计类型，一种是带宽受限的 (HPC/AI)，一种是延迟受限的 (CPU)。

应用于 HPC 和 AI 的单片 2D 笔记本电脑的占地为 450平方毫米。它被切成很薄（sliced up）并应应用于从新技术的PVC将其构件在四人。MCM 变体的功耗上升了 2.1%，笔记本电脑占地上升了 5.6%。2.5D外观设计，转速提升1.1%，占地上升2.4%。3D 外观设计的转速上升了 0.04%，但占地上升了 2.4%。这些结果当然是理想的，在表象当今世界中的，与布置规划和布置原因涉及的开销亦会越来越多。

SK 海力士 Wafer On Wafer 混和键合 DRAM

SK 海力士讲解了他们对积体电路口混和键合工艺技术的数据分析。应用于从新技术PVC的积体电路口键合技术开发已经相当普遍。它应用于索尼电脑娱乐、三星电子和 Omnivison 的 CMOS 图形激光。YMTC 的XStacking 技术开发也在 NAND Flash 中的应应用于它。Graphcore 和 TSMC 在他们的 BOW 笔记本电脑中的也应应用于了它。SKHynix 也将在其 16 层 HBM可执行中的应应用于混和键合。SKHynix 很难并不即可要说明粮食产量，但他们其实相当决心将这项技术开发商业化。

ASE 共约PVC红激光器件

从技术开发某种程度来看，ASE 所示范的并不是那么带有先驱，但对投资者是有因素的。这是因为在过去，主要的 OSAT 都近离红光网络厂商。在我们看来，这项数据分析对我们普遍喜欢的像 Fabrinet 这样的Corporation严峻。话虽如此，这只是数据分析，市场竞争动向越来越为重要。无论如何，如果 ASE 早就数据分析这个，他们不太可能也亦会试图获得收益。那时候来看看 ASE 讲解的主旨。

引线键合仍然是 100G 新一代厂商的主要技术开发，但随着我们过渡到 400G 和 800G 代，它开始成为转折。这是其他Corporation很久以来仍然在来进行的过渡，例如英特尔Corporation和 Fabrinet 已取消将 PIC 和 EIC 与最近几代厂商来进行引线键合。思科也已经从引线键合继续发展倒装笔记本电脑，今年他们甚至示范了应应用于 TSV 的 3D 组装，这比 ASE 示范的要从新技术得多。

ASE 博士论文整体而言上辩论了红激光生产商的多样挑战，除此以外contamination processes 的关联性以及所应应用于的多样挤压和墨水技术开发。积体电路口厂后的积体电路口工艺技术也不同，例如凸点下锂和硫等。还辩论了多样的检验要求。ASE 带入红激光生产商应用还有很长的路口要回头，但重要的是要之前关注它们，将其视为通讯和样本中的心市场竞争红激光组装和PVC应用潜在的相当有控制能力和吓人的从新带入者。

超薄die的 Xperi Die Handling

在大多数混和键合中的，笔记本电脑即可要相当薄。在即将推单单的 16 层 HBM 的才会，这甚至可以降到 30 微米的总数级，不到生命体头发大小的一半。而硫片相当脆弱，因此即可要正常提起。因此，Xperi 示范了应应用于伯努利夹具（Bernoulli grip ）提起die的数据分析，该夹具应应用于带有低静压的高速气流以在很难物理学交谈的才会粘附到重力场上。然后夹具将die放置到另一个die上，精准度为 1 微米或越来越小。这篇博士论文有很多关于die翘曲和检视的细微。这里很难什么更进一步的从前，但我们只是并不认为这是检视超薄die的一种很爱的机制。

Tokyo Electron Wafer on Wafer Hybrid Bonding

当今世界小得多的积体电路口三星电子中的在积体电路口对积体电路口（wafer-on-wafer ）混和键合应用软件和工艺技术流程的大获全胜。虽然我们不究竟这项数据分析是否亦会商业化，但我们并不认为这是另一种古怪的积体电路口检视技术开发。积体电路口太薄以至于平整，当您将其上升以来进行键合时，有不太可能滞留热气，从而因素粮食产量。Tokyo Electron 提单单了一种消除这种状况的工具。这是数据分析，而不是他们举例来说键合应用软件的每一次。

索尼电脑娱乐领先的 1 微米较宽混和键合

索尼电脑娱乐之前示范了为什么他们是混和键合应用的领导。

他们于 2017 年首次在即便如此厂商中的订购该技术开发。他们在此之前每年订购数百万个 CMOS 图形激光，采用 6.3 微米较宽混和键合，堆叠 3 个裸片，而其他人的较宽和体积要相比之下。索尼电脑娱乐的厂商全然是积体电路口对积体电路口的混和键合。今年索尼电脑娱乐推单单了 1 微米较宽旁观混和键合和 1.4 微米旁观混和键合。索尼电脑娱乐在此之前应应用于旁观和旁观的混和键合。

索尼电脑娱乐为何在混和键合上如此激进的简短解释是，索尼电脑娱乐决心之前氧化和堆叠图形激光纹理的功能，以捕捉越来越多红反射光，并即可要捕捉越来越多样本并将其产物为基本上合照和视频。

他们示范的技术开发相当古怪。所有混和键合工艺技术都即可要格外平坦的较厚，但在 CMP 工艺技术中的钼和 SiO2 亦会以不同的速率被打磨掉。在大多数工艺技术中的，这也就是说钼亦会被磨掉到比 SiO2 低的低池中平。这不一定称为dishing。这个每一次即可要精确操控，因为 SiO2 和钼的表面张力也不同。惠普Corporation应应用于的一项技术开发是应应用于钼合金代替纯钼来操控锯齿状程度并使 CMP 工艺技术越来越容易来进行。

索尼电脑娱乐，因为他们缩小到比产业其他Corporation相比之下的较宽，所以提单单了也就是说的策略。在他们的从新技术工具中的，SiO2 比钼被打磨得越来越近。这即可要全然不同的专有 CMP 工艺技术。

索尼电脑娱乐还通过改变 ECD 工艺技术中的的石墨烯规格也就是说了对钼的类似操控和突单单。

结果令人匪夷所思。与传统工艺技术近比，交谈电流减少了多个总数级。这是在 200,000 个菊花链（daisy chained） Cu-Cu 连接上来进行检验的。这些是 1 微米旁观键合的结果，但 1.4 微米旁观构件也清高示单单令人印象深刻的结果。

AMD Zen 3 上的 V-Cache SoIC 混和键合

AMD 申明了很多从前，但也有一些从新从前。此外即可要留意一下的是，AMD 的 V-Cache 混和键合和elevated扇单单桥的总监工程师离开 AMD ，改投了赛门铁克。我们对赛门铁克笔记本电脑的未曾来感到兴奋，因为他们已经从整个产业招聘了大量人才。

v-cache 的物理学内部结构相当古怪。AMD 和 TSMC 不仅是 CPU CCD 小笔记本电脑，下方还有 SRAM 小笔记本电脑和支持小笔记本电脑，而且还在整个子系统的下方有事与愿违的第 5 块支持硫片。这种内部结构由IBM 的 Tom Wassick独立证实。

刚开始，这其实是在浪费额外的硫，但这样认真是因为惠普Corporation的混和键合工艺技术即可要减薄的裸片。即可要事与愿违小块支撑硫片来为很难混和键合 SRAM 的基准 CCD 发放事与愿违的笔记本电脑子系统刚度和等效高度。

AMD 将 9 微米较宽混和键合与 36 微米较宽微凸块 3D Core来进行了相当。

AMD 常指的是将应用于 Ponte Vecchio GPU 和 Meteor Lake CPU 的 Foveros。AMD 撒谎，由于 TSV 和交谈电容器/电感越来越低，光纤能效减少了 3 倍，光纤密度减少了 16 倍，路口径/电源持续性也越来越好。那时候，他们应应用于 9 微米较宽不作为相当。这是一个不诚实的相当，因为TechInsights断定 V-Cache 的生产版本是在 17 微米较宽上未曾完成的。这种低音上的来使亦会减少所看出的一些优势。

这张图表很古怪，尽管相当粗略地。Zen 3 有 32MB 的 L3 Cache，V-Cache 为每个小笔记本电脑上升了 64MB。在此之前只堆叠了 1 个小笔记本电脑，这导致 IPC 的大之内上升。我想究竟 AMD 应应用于什么三维和基准检验来获得这个 IPC % Uplift 样本。AMD 还示范了一些与通用性涉及的样本，这表明在正常电源下很难原因。

SoC网络 SOC 通用性

SoC发表了一篇题为“从新技术量度广泛应用的比较大扇单单PVC的通用性挑战”的博士论文。很难说的是，这是SoC通过其定制 ASIC 部门在中的国销售的应用于网络广泛应用的真正笔记本电脑。

SoC也很难并不即可要说明，但我们究竟他们应应用于了惠普Corporation的 InFO-oS 技术开发。这篇博士论文辩论了温度、翘曲和其他通用性原因，但古怪的是他们推销了这款笔记本电脑。

是从：主旨由导体产业观察（ID：icbank）程序代码自semianalysis，总有一天。

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