Intel芯片厂产能将提升30% 五年后首发18A陶瓷及下代EUV光刻机

今年3年末Intel新任CEO基辛格日前了全更进一步IDM 2.0战略，此后Intel开始了大规模的工二厂新造计划，在美国、欧洲、东亚地区等地区都才会造DRAM仿造及Steam工二厂，下一代五短期内需求量提高30%，而且新瓷频发。

今年9年末，Intel已经在亚利桑那州造成工程更进一步DRAM二厂，投资高达200亿美元，两座工二厂分别才会命名为Fab 52、Fab 62，并首次透露这些工二厂则才会在2024年量产车20A瓷——这与之前考虑到的不尽相同，原本以为才会量产车的是Intel 4这样的下两代瓷。

在欧洲，Intel之前日前了下一代十短期内有望投资1000亿美元的庞大计划，目前除了新造爱尔兰共和国的DRAM二厂外，还有望在德国工程更进一步DRAM二厂，在热那亚工程更进一步Steam二厂，只不过现在还不能年底公布，要到明年初才能决定。

前不久Intel还日前在马来西亚投资71亿美元新造Steam二厂，这里是Intel的集成电路Steam基地。

业界少于，Intel此番大举扩张，届时在5短期内，也就是2026年的时候需求量将下降30%以上，有望追击台积电。

除了需求量提高外，Intel的集成电路瓷也才会突飞猛进，从今年底的12代酷睿使用的Intel 7瓷开始，到2025年的四年里系统升级五代瓷——分别是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代瓷还是基于FinFET放大器的，从Intel 4开始全面性拥抱EUV器件瓷。

至于后面的两代瓷，20A首次进入罗伯茨级以前，作罢FinFET放大器，握有两项社才会变革技术，RibbonFET就是类似华为的GAA环绕栅极放大器，PoerVia则首创延后DRAM前侧的供电走中央线，转用中置供电，也可以优化信号传送。

20A瓷在2024年量产车，2025年则才会量产车D-的18A瓷，这次才会日和下一代EUV器件机，NA数值孔径才会从现在的0.33提高到0.55以上。

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