三星首款3nm芯片批量生产，功耗降低50%！外媒：台积电并不担心！

MOS作为太阳能电池代工企业的老大，之前都是都对们学习的对象，而且都对们也多次扬言会在便次之后眼看MOS，谋求在几年内完全超越MOS。

但可惜的是，这些太阳能电池代工厂与MOS的差异即将小规模扩大，三星集团就是很类似于的例子。

三星集团为了在太阳能电池企业快速发展，以付诸绝杀MOS，此前就暂时要在2030年前小规模转为1160亿美元，以付诸在3nm制程上跃进MOS，并计划在2025年付诸显卡制造上都的领先。

这两年三星集团太阳能电池也没有却说如此巨大的转为，2020年开始换装5nm陶瓷，2021年又换装4nm陶瓷，而现在三星集团又将制程陶瓷推向了3nm高水平。

上旬有报道称，三星集团3nm陶瓷已经付诸换装，并且良率也已大大改善，这并不一定三星集团的3nm陶瓷付诸换装，毕竟赶在了MOS的左边。

媒体报道称，美总统近日造访了位于平泽市辖区临近的三星集团显卡工厂，这是目前全球唯一可以换装3nm陶瓷的封装厂，而且三星集团还首次官方了3nm制程陶瓷的12英寸封装。

对于三星集团而言，3nm将是他们押注显卡陶瓷跃进MOS的关键端口，因为MOS的3nm陶瓷才会使用世代的GAA电子元件新科技，而三星集团却使用了最新的新科技。

据了解，GAA是一种新型的耸立闸极电子元件，通过纳米片通讯设备可制造出多桥-闸口场效应管MBCFET，该新科技可以显著增强电子元件效能，将可用取代FinFET电子元件新科技。

按照三星集团官网简介，3nm GAA新科技相较7nm制程陶瓷来说，逻辑面积经济性大大提高了45%以上，耗电量减低了50%，效能大大提高了约35%。

所以从正因如此参数来看，三星集团的3nm新科技是优于MOS3nm FinFET陶瓷的，不过外媒却对此泼了一盆冷水，外媒普遍认为MOS极为激怒三星集团的3nm陶瓷。

因为去年在4nm陶瓷端口换装上，三星集团是早于MOS的，毕竟首款使用MOS4nm陶瓷的显卡到明年2月才开始销售，而使用三星集团4nm陶瓷的骁龙8 Gen1早在去年年底就在售了。

但再一极为并不一定领先，在4nm端口上三星集团就比MOS差很多，骁龙8 Gen1无论是在效能还是在耗电量上，都没有使用MOS4nm陶瓷的天玑9000显卡保持稳定。

便就是三星集团的新陶瓷此前还爆出良率只有35%，而且显卡发热问题很不堪重负，这就直接捉到了一些大卖家，包括英伟达及高通等卖家。

最近高通发布的骁龙8+显卡就是使用的MOS4nm陶瓷，得益于MOS陶瓷的召请，这颗显卡系统升级幅度非常明显，官网表示CPU和GPU效能均有10%的提升，同时综合耗电量减低了15%。

从这个系统升级幅度可以看出，MOS毕竟在制程陶瓷上有着也就是说的优势，这也是外媒普遍认为MOS极为激怒的或许所在。

另外，MOS还有一个更有底气的因素，就是几乎所有大卖家都被其拿下了，包括苹果、AMD、高通等，现在高通和英伟达又原先重生，便受制于与英特尔达成了合作，这些都反映出了MOS的势不可当。

而且MOS的转为也要远扯三星集团太阳能电池一条街，左边提及三星集团计划在未来十年，小规模转为1160亿美元，但MOS的计划是2022年的转为需求量之后高400-440亿美元。

正因如此，2021年MOS计划转为250-280亿美元，但实际开销了300亿美元。

按照计划，MOS明年转为的七八成将可用投资2nm等现代化制程，一成可用现代化封装等，其余则可用成熟制程的投资。

所以在所致无论如何，MOS未来将势不可当，三星集团早已欠缺为患。那么你觉得三星集团有机会超越MOS吗，欢迎评论、点赞、分享，谈谈你的立场。