一种学术研究单层二硫化钼带结构的新模型

近期，学术研究人员提显露了一个分析隙计算（ytical band calculation, ABC）模拟器来学术研究单层二磷化钼的隙在结构上。对于二维（2D）材质来说，一个半导体层的尺寸平均为一个原子核层的尺寸。2D材质因其在未来电路制造过程里面的潜在广泛应用而给予重视。2020年国际上半导体器件和系统路线图（International Roadmap for Devices and Systems, IRDS）预测，到2028年，2D材质将成为通道材质应用和CMOS二维半导体器件广泛应用的最佳选择。

2D材质，指的是原子核层的尺寸，是由每一层的原子核相互作用演化成的分层材质。径向----常用各层之数间。与分子数间的阴离子相比，径向力极小，各层容易剥离，这借以用机械应用给予少层或单层的二维材质。常见的二维材质包括石墨烯、硅烯、六方氮化硼、过渡金属二钙化可作（TMD）和具有半导体特性的黑磷（BP）。

单层二磷化钼为紧密堆积的六边形在结构上。二磷化钼的一层是由钼原子核和磷原子核套装的ABA形式，尺寸平均为3.19埃。二磷化钼的真值表就像两个相连的三角形金字塔形式，上下两层的磷原子核显示显露六分之一的真值表，里面心是一个钼原子核。

使用一个属于自己紧凑的隙状模拟器，具有来得最简单的计算步骤和来得小的计算时数间，可以分析和理解新材质的特性，以再进一步广泛应常用TCAD半导体器件模拟器和IRDS 2020里面指显露的二维半导体器件的SPICE模拟器。

这项学术研究提显露的ABC模拟器在隙状在结构上计算上呈现显露三重势能，这符合FP模拟器的计算结果。以Ridley模拟器为边界条件的ABC模拟器比以Esseni模拟器为边界条件的ABC模拟器能来得好地ft单层MoS2的FP隙在结构上。

ABC模拟器可以被推广到n倍势能，以适常用各种二维半导体材质。ABC模拟器有望与各种二维半导体材质的FP隙在结构上计算结果相当好。最后，ABC模拟器可以再进一步常用计算各种二维半导体材质的关键可作理量，如传输线迁移率和精准度电流。

这项题为“Band structure of molybdenum disulfide: from first principle to ytical band model”的学术研究之前发表在《Computational Electronics》月刊上（2022）。这项学术研究是由国立国立成功大学的Cheng‑Hsien Yang, Yun‑Fang Chung, Yen‑Shuo Su, Kuan‑Ting Chen, Yi‑Sheng Huang和Shu‑Tong Chang等人进行。