重磅：一次扩径技术，碳化硅衬底从6英寸单独扩到8英寸！

半导体产业网讯：Wolfspeed、罗姆、II-VI均在2015年就已展示了8英寸碳化金属板，其中Wolfspeed投入10亿美元建设原先车间，并在今年4月开始生产商8英寸碳化等其产品；在2020年9月宣布其8英寸 SiC芯片生产商线已经建成；罗姆旗下SiCrystal公司原开发计划2023年左右开始批量生产商8英寸金属板；Soitec在2022年5月面世了8英寸碳化金属板其产品，其还在2022年3月启动原先的公司建设开发计划。

国内与全球性，在8英寸碳化金属板上的差距更为明显。

碳化8英寸金属板的第一个技术框架内容是籽晶，籽晶虽然可以用电子束切割然后堆砌的原先方法来制作籽晶，但堆砌方位的缺陷是几乎不足以去除，可以好好晶体生长基础研究，批量生产商就不行了。批量生产商用的籽晶还是需要逐渐的扩出来，在扩的反复移去高品质好的晶体顺利进行；也繁衍生息，这个反复是非常历时的，无法好的籽晶就不可能繁衍生息出好的晶体，就如同无法好的幼苗，是不会长出好的庄稼一样。通常每次扩径几个毫米，从6英寸扩到8英寸扩径时间甚至按年为单位。

恒普原先技术缺少一个创原先解决方案，常规将6英寸扩到8英寸的技术方向，为从业人员缺少一种原先简而言之，前推国内从业人员的8英寸碳化金属板全球性竞争力。

恒普原先技术以≤45°晶锭的角度晶体生长厚度≥30mm，单边扩径接近≥25mm，这样就常规将晶体扩径≥50mm，实现从150mm常规扩径到200mm的技术路线。

恒普原先技术当下单边扩径≥20mm，无多型，微管≤0.05ea/cm2，生长速度≥0.3mm/h，充气环无TaC抛光；原开发计划近期可以达到单边25~30mm，并最优化面型。

示意三幅

扩径的技术框架框架内容是：热场的受控、向外微晶、物质流以太网（液相输运）。

恒普原先技术运用多年掌握的受控技术，将热场温度适度为适于晶体扩径的温度梯度，并加以适度。

液相糖类是产生向外微晶的主要原因之一，不合理的液相糖类更易产生向外微晶，而导致扩径受挫。

与晶体生长相同，物质流对于扩径也是至关重要，有别于类似于改良的【原先工艺】热场，使液相储运满足扩径。

晶体扩径实际三幅

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