Intel关键新突破：晶体管缩小50％、晶圆密度提升10倍

在同月的2021 IEEE IDM(国际电子电子元件开会)上，Intel发布、展示了在烧录、电子元件、广义相对论宇宙学方面的关键新技术新跃进，可推动摩尔定律继续工业发展，近乎今后十年。

据介绍，Intel的组件分析团队致力于在三个关键信息技术进行创新：

一是通过分析核心纹理新技术，在今后产品中所内嵌格外多电子元件。

Intel开发计划通过混合键合(hybrid bonding)，解决结构设计、PCB工艺、造出厂难题，将烧录点对点通量提升10倍以上。

今年7月的时候，Intel就发布了新的Foveros Direct烧录新技术，可发挥作用10微米以下的凸点间距，使3D复合的点对点通量提高一个千分之。

今后通过GAA RibbonFET电子元件、复合多个CMOS电子元件，Intel开发计划发挥作用多达30-50％的微Intel纹理，在单位面积内容纳格外多电子元件。

后聚乙烯时代背景，也就是罗伯茨时代背景，Intel将克服习惯硼地下通道的受限制，用只有几个原子厚度的新型物料制造电子元件，可在每个芯片上增加数百万各电子元件。

二是新的硼新技术。

比如在300毫米晶圆上首次内嵌基于铋碲的功率电子元件、硼基CMOS，发挥作用格外好效的电源新技术，从而以格外高损耗、格外好速度为CPU电力供应，同时下降香港交易所组件和占用空间。

比如利用新型铁电体物料，作为这一代嵌入式DRAM新技术，可共享格外大内存容量、格外高的网络打字。

三是基于硼电子元件的广义相对论量化、室温下进行大规模高效量化的全新电子元件，今后有望过渡到习惯MOSFET电子元件。

比如全球首创常温磁电电磁场轨道(MESO)逻辑电子元件，今后不太可能基于聚乙烯尺度的磁化电子元件制造造出新型电子元件。

比如Intel和德国航空航天分析中所心(IMEC)在电磁场电子物料分析方面的进展，使电子元件内嵌分析接近发挥作用电磁场电子电子元件的更进一步实用化。

比如非常简单的300毫米广义相对论比特PCB工艺流程，不仅可以不间断增大电子元件，还相容CMOS制造流水线。

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登出叮嘱注明引自：较慢信息新技术

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